抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对

• A.Cl-的通透性
• B.K+的通透性
• C.Na+的通透性
• D.Mg2+的通透性

查看答案 纠错

答案： A

本题解析：

抑制性突触后电位（IPSP）的核心机制是突触后膜离子通道通透性改变引起的超极化。

抑制性递质作用于突触后膜，主要增强Cl⁻通道开放，Cl⁻内流使膜电位远离阈电位，抑制神经元兴奋性。

虽然K⁺外流也可导致超极化，但IPSP形成以Cl⁻为主导，而Na⁺（去极化相关）和Mg²⁺（非突触后电位关键离子）与此过程无关。

更新时间：2025-07-27 16:45

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